APT102GA60B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYSlike so samo za referenco.
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT102GA60B2 z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT102GA60B2 z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Zahtevaj citat
| številka dela | APT102GA60B2 |
|---|---|
| Proizvajalec | Microsemi |
| Opis | IGBT 600V 183A 780W TO247 |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| Referenčna cena (v ameriških dolarjih) | Get a quote | ||||
- parameter izdelek
- Podatkovni list
Product parameter
| številka dela | APT102GA60B2 | Proizvajalec | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Opis | IGBT 600V 183A 780W TO247 | Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| količina Na voljo | 5265 pcs | Podatkovni list | APT102GA60(B2,L) |
| Kategorija | Diskretnih polprevodniških proizvodov | Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.) | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | Test Condition | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (vklop / izklop) @ 25 ° C | 28ns/212ns | Preklop energije | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Serija | POWER MOS 8™ | Moč - maks | 780W |
| Pakiranje | Tube | Paket / primer | TO-247-3 Variant |
| delovna temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tip montaže | Through Hole |
| Raven občutljivosti na vlago (MSL) | 1 (Unlimited) | Status svobodnega statusa / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vrsta vnosa | Standard | Vrsta IGBT | PT |
| Gate Charge | 294nC | natančen opis | IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole |
| Trenutni - impulzni kolektor (Icm) | 307A | Tok - zbiralec (Ic) (maks.) | 183A |
- Podobni izdelki
- povezane novice
Podobni izdelki
- del #:
APT106N60B2C6 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 - Na zalogi:
6889
- del #:
APT100GT120JU2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na zalogi:
3742
- del #:
APT100GT120JU3 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 1200V 140A 480W SOT227 - Na zalogi:
3316
- del #:
APT100GT60JRDQ4 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na zalogi:
2598
- del #:
APT100GT120JRDQ4 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227 - Na zalogi:
2105
- del #:
APT100GT60JR - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 148A 500W SOT227 - Na zalogi:
4612
- del #:
APT100S20BG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247 - Na zalogi:
23413
- del #:
APT10M11JVRU3 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Na zalogi:
3785
- del #:
APT100S20LCTG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264 - Na zalogi:
11526
- del #:
APT102GA60L - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 183A 780W TO264 - Na zalogi:
7240
- del #:
APT100M50J - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 - Na zalogi:
2041
- del #:
APT100MC120JCU2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP - Na zalogi:
404
- del #:
APT10M11JVRU2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 - Na zalogi:
3049
- del #:
APT10DC120HJ - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227 - Na zalogi:
2368