APT65GP60B2G
OMRON AUTOMATION & SAFETYSlike so samo za referenco.
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT65GP60B2G z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT65GP60B2G z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Zahtevaj citat
| številka dela | APT65GP60B2G |
|---|---|
| Proizvajalec | Microsemi |
| Opis | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| Referenčna cena (v ameriških dolarjih) | 1 pcs | 10 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 270 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $7.749 | $7.046 | $6.518 | $5.989 | $5.461 | |
- parameter izdelek
- Podatkovni list
Product parameter
| številka dela | APT65GP60B2G | Proizvajalec | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Opis | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| količina Na voljo | 5980 pcs | Podatkovni list | APT65GP60B2 |
| Kategorija | Diskretnih polprevodniških proizvodov | Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.) | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A | Test Condition | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (vklop / izklop) @ 25 ° C | 30ns/91ns | Preklop energije | 605µJ (on), 896µJ (off) |
| Serija | POWER MOS 7® | Moč - maks | 833W |
| Pakiranje | Tube | Paket / primer | TO-247-3 Variant |
| delovna temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tip montaže | Through Hole |
| Raven občutljivosti na vlago (MSL) | 1 (Unlimited) | Status svobodnega statusa / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Vrsta vnosa | Standard | Vrsta IGBT | PT |
| Gate Charge | 210nC | natančen opis | IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole |
| Trenutni - impulzni kolektor (Icm) | 250A | Tok - zbiralec (Ic) (maks.) | 100A |
- Podobni izdelki
- povezane novice
Podobni izdelki
- del #:
APT60N60BCSG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 - Na zalogi:
4768
- del #:
APT60S20BG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 - Na zalogi:
34257
- del #:
APT60S20SG - Proizvajalci:
Microsemi Corporation - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 - Na zalogi:
20102
- del #:
APT65GP60J - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 130A 431W SOT227 - Na zalogi:
2666
- del #:
APT60N60SCSG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - Na zalogi:
4814
- del #:
APT60S20B2CTG - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX - Na zalogi:
15032
- del #:
APT60N60SCSG/TR - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK - Na zalogi:
5487
- del #:
APT64GA90B - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 117A 500W TO247 - Na zalogi:
11108
- del #:
APT68GA60LD40 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 121A 520W TO-264 - Na zalogi:
8528
- del #:
APT65GP60L2DQ2G - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 198A 833W TO264 - Na zalogi:
5205
- del #:
APT64GA90LD30 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 117A 500W TO-264 - Na zalogi:
8850
- del #:
APT66F60B2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 - Na zalogi:
4058
- del #:
APT60S20SG/TR - Proizvajalci:
Microsemi Corporation - Opis:
DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK - Na zalogi:
22983
- del #:
APT66M60B2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX - Na zalogi:
4893
- del #:
APT68GA60B2D40 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Na zalogi:
9887
- del #:
APT64GA90B2D30 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 117A 500W TO-247 - Na zalogi:
11633
- del #:
APT68GA60B - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 121A 520W TO-247 - Na zalogi:
14870