APT84M50B2
OMRON AUTOMATION & SAFETYSlike so samo za referenco.
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT84M50B2 z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Oglejte si specifikacije izdelka za podrobnosti o izdelku.
kupi APT84M50B2 z zaupanjem iz Components-World.HK, 1 leto garancije
Zahtevaj citat
| številka dela | APT84M50B2 |
|---|---|
| Proizvajalec | Microsemi |
| Opis | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| Referenčna cena (v ameriških dolarjih) | Get a quote | ||||
- parameter izdelek
- Podatkovni list
Product parameter
| številka dela | APT84M50B2 | Proizvajalec | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX | Status svobodnega statusa / RoHS | Brez svinca / RoHS |
| količina Na voljo | 5058 pcs | Podatkovni list | Power Products CatalogAPT84M50(B2,L) |
| Kategorija | Diskretnih polprevodniških proizvodov | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tehnologija | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paket naprave za dobavitelja | T-MAX™ [B2] | Serija | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V | Odmik moči (maks.) | 1135W (Tc) |
| Pakiranje | Tube | Paket / primer | TO-247-3 Variant |
| Druga imena | APT84M50B2MI APT84M50B2MI-ND |
delovna temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tip montaže | Through Hole | Raven občutljivosti na vlago (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status svobodnega statusa / RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V | Vrsta FET | N-Channel |
| Funkcija FET | - | Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena) | 10V |
| Izpusti do izvorne napetosti (Vdss) | 500V | natančen opis | N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
- Podobni izdelki
- povezane novice
Podobni izdelki
- del #:
APT85GR120J - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP - Na zalogi:
3134
- del #:
APT85GR120L - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 1200V 170A 962W TO264 - Na zalogi:
6935
- del #:
APT80GP60J - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 151A 462W SOT227 - Na zalogi:
3372
- del #:
APT80GA90B - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 145A 625W TO247 - Na zalogi:
11585
- del #:
APT85GR120B2 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 1200V 170A 962W TO247 - Na zalogi:
7879
- del #:
APT85GR120JD60 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP - Na zalogi:
2937
- del #:
APT90DR160HJ - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
DIODE MODULE 1.6V SOT227 - Na zalogi:
6167
- del #:
APT80GA60LD40 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 600V 143A 625W TO264 - Na zalogi:
9433
- del #:
APT94N60L2C3G - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
MOSFET N-CH 600V 94A TO264 - Na zalogi:
3783
- del #:
APT80GA90LD40 - Proizvajalci:
Microsemi - Opis:
IGBT 900V 145A 625W TO-264 - Na zalogi:
6238
